
导通电阻优秀,低压驱动良好,栅电荷 Qg 低,开关性能好,
器件鲁棒性强,漏电流低
· 导通电阻优秀
· 低压驱动良好
· 栅电荷 Qg 低
· 开关性能好
· 器件鲁棒性强
· 漏电流低
· 表面贴装封装
NCE2304 采用先进的沟槽技术,可提供优异的 RDS(导通)和 较低的栅极电荷。该器件适用于用作负载开关或应用于 PWM 场景
1. 超低栅极电荷 Qg 仅 4.0nC,意味着栅极驱动电流需求极小,可直接由 MCU GPIO 驱动,开关损耗极低,特别适合高频PWM 应用; |
2. 低导通电阻 采用先进 Trench 技术,RDS(on) 典型值仅 39mΩ,在 3.6A 负载下导通损耗约 0.5W,发热可控,无需额外散热片; |
3. 优良的热性能 RθJA 仅 73.5℃/W,得益于封装和芯片工艺的优化,在相同功耗下结温升幅更小,可靠性更高; |
4. 宽阈值电压范围,驱动兼容性好,Vgs(th) 典型值 1.5V,范围 1.05~2.1V,可被 3.3V/5V 逻辑电平直接驱动,同时阈值分散性小,批量一致性良好; |
| 参数项目 | 规格说明 |
|---|---|
| 品牌 | 新洁能 NCE |
| 产品类别 | 12-300VNMOS |
| 耐压 | 30V |
| 导通电阻@10V | 39mΩ |
| 导通电阻@4.5V | 61mΩ |
| 连续漏极电流 | 3.6A |
| 栅源极阈值电压 | 1.5V |
| 封装 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55-150℃ |
详细参数以原厂规格书为准。
1. Vishay Si2304DDS
2. DIODES DMN3060L
3. ON FDN357N
替代原因:参数匹配,封装兼容,无需改版,可实现国产化降本
替代关系以规格书与实测确认为准,拿不准可点此QQ咨询
| 便携类产品 | TWS 耳机充电仓、小型锂电池模组、手持便携设备、小功率移动电源; |
| LED 照明产品 | LED 台灯、小功率 LED 灯带、太阳能小灯串、应急小灯具; |
| 消费电子 | WiFi / 蓝牙智能模组、摄像头模组、路由器。机顶盒; |
| 工控小模块 | 微型风扇、小电机驱动板;小功率电源模块; |
NCE3080K 同批次已上架 | NCE3400 同批次已上架 | NCE40H12K 同批次已上架 |
NCE0102 新洁能已上架MOS管 | NCE2301 新洁能已上架MOS管 | NCE2305 新洁能已上架MOS管 |
MOS管分类 | 功率器件MOS分类 | 新洁能品牌专区 |

复制产品链接
长按图片保存/分享