
低导通电阻,低栅极电荷,高功率及高电流处理能力
· 低导通电阻
· 低栅极电荷
· 高功率及高电流处理能力
NCE4953 采用先进的沟槽制造工艺,可实现优异的 RDS(ON) 值、低栅极电荷特性,且在低至 4.5 V 的栅极电压下即可正常工作。该器件适用于作为负载开关或用于 PWM 应用场景。
1. 双PMOS 一颗 SOP‑8 内部集成两路独立 P 沟道 MOS管,可同时做两路高侧电源开关;相比使用 2 颗 SOT‑23 单管,减少器件数量、简化 BOM,缩小布板面积,适合多路电源门控场景; |
2. 低导通内阻 导通损耗低,发热小; |
3. 电流、功率与散热能力强 单路连续电流‑5.1A,脉冲峰值电流‑20A,抗上电浪涌冲击,SOP‑8 封装最大耗散功率 2.5W,散热性能显著更好,适合更大持续电流工况,温升更低; |
4. 低栅极电荷 开关速度快,既适合静态负载开关,也支持高频 PWM 调光、PWM 调速应用; |
5. 自带源漏体二极管 内置体二极管,感性负载(电机、风扇)可实现续流,部分场景省去外部续流二极管 |
| 参数项目 | 规格说明 |
|---|---|
| 品牌 | 新洁能 NCE |
| 产品类别 | 12-300VDual MOS |
| 耐压 | -30V |
| 导通电阻@10V | 43mΩ |
| 导通电阻@4.5V | 62mΩ |
| 连续漏极电流 | -5.1A |
| 栅源极阈值电压 | -1.6V |
| 封装 | SOP-8 |
| 工作温度 | -55-150℃ |
详细参数以原厂规格书为准。
1. DIODES ZXMP3A16DN8
2. Infineon IRF7316
3. ROHM SP8J1
替代原因:参数匹配,封装兼容,无需改版,可实现国产化降本
替代关系以规格书与实测确认为准,拿不准可点此QQ咨询
| 应用产品 | 工业无线 AP、路由器、网关,无人机、机器人 |
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