
低栅极电荷,出色的导通电阻,雪崩电压和电流经过全面表征,高单脉冲雪崩能量,出色的稳定性和均匀性,散热性能良好
· 低栅极电荷
· 出色的导通电阻
· 雪崩电压和电流经过全面表征
· 高单脉冲雪崩能量
· 出色的稳定性和均匀性
· 散热性能良好
NCE6005AS 采用先进的沟槽工艺与设计,在具备低栅极电荷特性的同时,可提供优异的 RDS(ON) 性能,适用于多种应用场景
1. SOP‑8L 双管集成 一颗封装内部集成两组独立 60V N 沟道 MOS,替代 2 颗独立 SOP‑8 MOS 器件,减少器件数量,简化 BOM,缩小电路板面积,适合紧凑型板卡设计; |
2. 低导通电阻 导通损耗低,兼顾4.5V 低压驱动,适配 MCU、低成本控制器低电压输出驱动,无需额外栅极升压电路; |
3. 低栅极电荷 总栅电荷 Qg 仅 25nC,开关延时短,适合硬开关、高频电路; |
4. 雪崩可靠性高 100% UIS、100%ΔVds、100% Rg 三项出厂测试;单脉冲雪崩能量 EAS=65mJ,批次一致性好,可抵御感性负载电压尖峰; |
| 参数项目 | 规格说明 |
|---|---|
| 品牌 | 新洁能 NCE |
| 产品类别 | 12-300VDualMOS |
| 耐压 | 60V |
| 导通电阻@10V | 26mΩ |
| 导通电阻@4.5V | 32mΩ |
| 连续漏极电流 | 5A |
| 栅源极阈值电压 | 1.6V |
| 封装 | SOP-8L |
| 工作温度 | -55-150℃ |
详细参数以原厂规格书为准。
1. ROHM SP8K33HZG
替代原因:参数匹配,封装兼容,无需改版,可实现国产化降本
替代关系以规格书与实测确认为准,拿不准可点此QQ咨询
| 应用产品 | 便携充电器、LED灯带、面板灯、无线 AP、路由器 |
NCE3416 同批次已上架 | NCE3404 同批次已上架 | NCE3400AY 同批次已上架 |
NCE0102 新洁能已上架MOS管 | NCE2301 新洁能已上架MOS管 | NCE2305 新洁能已上架MOS管 |
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