
低栅极电荷,极佳的导通内阻,雪崩电压和电流参数经过全面表征,具备高EAS,良好的稳定性和均匀性,采购优质封装,散热性能良好
· 低栅极电荷
· 极佳的导通内阻
· 雪崩电压和电流参数经过全面表征
· 具备高EAS
· 良好的稳定性和均匀性
· 采购优质封装
· 散热性能良好
NCE6080K 采用先进的沟槽工艺与设计,在保持低栅极电荷的同 时,可提供优异的 RDS(ON) 性能,适用于多种应用场景
1. 低导通损耗 高密度沟槽单元设计,7mΩ 低 Rds (on)max,大电流工况导通损耗小、发热低; |
2. 优异雪崩可靠性 100% UIS 雪崩测试、100%ΔVds 测试,单脉冲雪崩能量 EAS=390mJ,感性负载电压尖峰抗冲击能力强,器件一致性高,降低炸管风险; |
3. 开关特性均衡 总栅电荷 Qg=90nC,在低 Rds (on) 的前提下栅电荷控制合理,平衡导通损耗与开关损耗,适配 PWM 高频工作; |
4. 封装 TO‑252‑2L 贴片封装散热性能好,适合板载大功率设计,无需额外外加散热器; |
| 参数项目 | 规格说明 |
|---|---|
| 品牌 | 新洁能 NCE |
| 产品类别 | 12-300VNMOS |
| 耐压 | 60V |
| 导通电阻@10V | 6mΩ |
| 连续漏极电流 | 80A |
| 栅源极阈值电压 | 2.8V |
| 封装 | TO-252-2L |
| 工作温度 | -55-175℃ |
详细参数以原厂规格书为准。
1. ON NTD5862N
2. Infineon IRFR1018E
3. DIODES DMTH6006SK3
替代原因:参数匹配,封装兼容,无需改版,可实现国产化降本
替代关系以规格书与实测确认为准,拿不准可点此QQ咨询
| 应用产品 | 户外储能电源、UPS、微型光伏逆变器、大功率 DC-DC、破壁机 |
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