BRSC65R600ZDP
低开关损耗,高效率、耐高温、易量产
- 品牌： 蓝箭
- 尺寸/封装： TO-252
- 重要参数： 650V
- 工作温度： -55 -175℃
- 内阻： 378mΩ
- 连续漏极电流： 7A
- 栅源极阈值电压： 3~5V
- 产品应用： 快充电源、LED 驱动、锂电设备、高压电机驱动
- 产品参数
- 品牌： 蓝箭
- 尺寸/封装： TO-252
- 重要参数： 650V
- 工作温度： -55 -175℃
- 内阻： 378mΩ
- 连续漏极电流： 7A
- 栅源极阈值电压： 3~5V
- 产品应用： 快充电源、LED 驱动、锂电设备、高压电机驱动
BRSC65R600ZDP 碳化硅MOSFET（蓝箭）
TO-252封装 | 低栅极电荷，体二极管反向恢复性能优异，驱动电压友好，设计兼容性强，宽温可靠，耐冲击能力强 | 高性价比SiC MOS
元器猫 — 蓝箭授权代理商，原厂正品，现货供应
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技术支持
专业选型 替代方案
产品概述
BRSC65R600ZDP是一款采用TO-252封装的碳化硅MOSFET，由国产知名品牌蓝箭（Lanjing）生产，广泛应用于电源、驱动类产品等领域的高性价比功率器件。BRSC65R600ZDP是N沟道碳化硅MOS管,耐压 650V、额定连续电流 7A，专为中小功率高频开关电源开发.依托碳化硅宽禁带材料优势,相比传统硅超结MOS 大幅降低开关损耗,兼顾高效率、耐高温、易量产替换三大核心优势.
该器件具备低栅极电荷、体二极管反向恢复性能优异、驱动电压友好、设计兼容性强、宽温可靠等核心优势，欢迎工程师咨询选型方案。
关键特性
🔹 低栅极电荷
超快开关速度，开关损耗极低，可简化驱动电路，降低驱动芯片选型成本；
🔹 体二极管反向恢复性能优异
反向恢复时间 trr 仅
🔹 9ns
恢复电荷 Qrr=20nC，无硅二极管严重拖尾电流，大幅降低 EMI 电磁干扰，减少 X/Y 电容、磁环等滤波器件用量；
🔹 驱动电压友好
阈值电压 VGS (th) 3~5V，驱动裕度充足，低温不误导通、高温不驱动不足，设计兼容性强；
🔹 封装
TO-252 标准贴片封装，双 D 极加大散热焊盘，PCB 铺铜散热面积更大；
应用领域
⚡
电源
PD快充，适配器，LED电源，空调电源，电动自行车 充电器
📌
驱动类产品
电动工具，高压电机驱动等
为什么选择元器猫采购BRSC65R600ZDP？
| 优势 | 说明 |
|---|---|
| 原厂授权 | 蓝箭品牌授权代理商，100%原厂正品保障 |
| 现货库存 | 常备热门型号库存，交货周期短，满足紧急需求 |
| 技术支持 | 专业工程师提供选型指导、替代方案设计 |
| 免费样品 | 支持免费样品申请，降低评估与验证成本 |
| 灵活供货 | 支持小批量打样与大批量订货，交期稳定可靠 |
| 国产优选 | 可Pin-to-Pin替代同规格进口型号，国产优选方案，降本增效 |
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