NCE65NF050QD
超低导通电阻和导电损耗,超低栅极电荷可降低驱动要求,二极管反向恢复速度快,先进封装,高可靠性
- 品牌： 新洁能
- 尺寸/封装： QDPAK-22L
- 重要参数： 650V
- 额定电流： 56A
- 工作温度： -55-175℃
- 内阻： 45mΩ
- 产品应用： 通讯基站电源
- 产品参数
- 品牌： 新洁能
- 尺寸/封装： QDPAK-22L
- 重要参数： 650V
- 额定电流： 56A
- 工作温度： -55-175℃
- 内阻： 45mΩ
- 产品应用： 通讯基站电源
产品概述
NCE65NF050QD 是新洁能（NCEPower）650V/56A 高压N沟道功率MOSFET，QDPAK-22L封装，导通电阻仅45mΩ。元器猫为新洁能官方授权一级代理，常备现货，即订即发。
该器件QDPAK顶部散热封装优化热管理，适合高功率密度设计。每颗出厂前通过100% UIS雪崩耐量及100% ΔVds双重全检筛选，工作温度覆盖-55℃~+150℃。广泛适用于5G基站电源、服务器电源模块等高频高效功率转换场景。
核心优势
45mΩ超低导通电阻
45mΩ典型值，导通损耗极低，大幅降低电源系统发热
低Qg·高频高效
高压Super Junction技术实现低栅极电荷，开关速度快、开关损耗小
QDPAK-22L封装
紧凑封装设计，通用标准封装便于PCB布局,功率密度行业领先
双100%全检可靠性
每颗器件出厂前通过100% UIS雪崩耐量测试和100% ΔVds筛选，杜绝早期失效
-55~175℃宽温范围
覆盖通讯基站户外部署、工业控制柜高温环境及密闭腔体散热场景
Pin-to-Pin兼容进口品牌
同封装兼容进口品牌，焊盘级原位替换，国产降本20%-40%
核心电气参数
| 参数项目 | 规格说明 |
|---|---|
| 漏源耐压 Vds | 650V |
| 连续漏电流 Id | 56A |
| 导通电阻 RDS(on)@10V | 45mΩ（典型值） |
| 导通电阻 RDS(on)@4.5V | / |
| 阈值电压 Vgs(th) | 4.2V |
| 栅极电荷 Qg | 低Qg设计，具体数值请查阅规格书（联系FAE） |
封装与可靠性
| 参数项目 | 规格说明 |
|---|---|
| 封装形式 | QDPAK-22L |
| 工作温度范围 | -55~175℃ |
| 可靠性筛选 | 100% UIS雪崩测试 + 100% ΔVds筛选 |
📥 NCE65NF050QD规格书-NCEPower.pdf
包含完整电气参数、RDS(on)特性曲线、栅极电荷曲线、体二极管反向恢复特性、SOA安全工作区、热阻参数、封装尺寸图及推荐焊盘Layout。
典型应用领域
- 📡 通讯基站电源：5G基站DC-DC同步整流Buck变换器——NCE65NF050QD超低45mΩ和低Qg特性，在高频开关电源中实现效率最大化，QDPAK-22L封装节省电源模块PCB面积
- 🏭 工业电机驱动：BLDC电机驱动三相桥、伺服驱动器功率级——650V/56A覆盖12V/24V/48V电池平台，100% UIS雪崩测试确保感性负载下的可靠性
- ⚙️ 电源转换：DC-DC转换器、同步整流、负载开关——-55~175℃宽温范围适应工业和户外环境，低RDS(on)降低散热器成本
- 🔋 新能源与储能：便携储能双向DC-DC、锂电保护板主开关——QDPAK-22L封装+低损耗助力设备轻薄化、高效率设计
- 📱 消费电子电源：笔电/平板供电、USB-PD快充、适配器——新洁能600-650V NMOS在消费电源领域通用性强，兼容多种电源轨
Pin-to-Pin兼容替代
💡 NCE65NF050QD 可与同封装进口品牌焊盘兼容，在不修改PCB Layout的前提下直接替换，助力国产化降本。具体替代方案请联系元器猫FAE确认。
| 进口品牌 | 进口型号 | 封装 | 电压/电流 | 替代方案 |
|---|---|---|---|---|
| TI/ON/AOS等 | 同规格进口型号 | QDPAK-22L | 650V/56A | → NCE65NF050QD |
⚠️ 提示：封装兼容即PCB Layout可复用，各品牌电气参数略有差异，替换时请以规格书为准。如需FAE协助参数对比，💬 联系元器猫 或致电 13380306179。
📞 申请NCE65NF050QD样品与报价
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