
卓越的FOM,极低的导通电阻,150℃工作温度,100%UIS测试,100%ΔVds测试
NCEP3065QU是元器猫代理的新洁能(NCEPower)N沟道功率MOSFET,采用先进的Super Trench I沟槽栅技术制造,在导通损耗与开关损耗之间实现卓越平衡。
该器件在DFN3.3×3.3-8L微型封装内实现30V/65A的功率处理能力——导通电阻低至1.3mΩ@10V(3mΩ@4.5V),阈值电压仅1.5V,兼备超低栅极电荷Qg值。每颗器件出厂前通过100% UIS雪崩耐量及100% ΔVds双重全检筛选,工作温度覆盖-55℃~+150℃。
广泛适用于通讯基站电源、BLDC电机驱动、伺服/PLC控制、便携储能及电动工具等高频高效功率转换场景。

| 参数项目 | 规格说明 |
|---|---|
| 漏源耐压 Vds | 30V |
| 连续漏电流 Id | 65A |
| 导通电阻 RDS(on)@10V | 1.3mΩ(典型值) |
| 导通电阻 RDS(on)@4.5V | 3mΩ(典型值) |
| 阈值电压 Vgs(th) | 1.5V(典型值) |
| 栅极电荷 Qg | 低Qg设计,具体数值请查阅规格书 |
| 参数项目 | 规格说明 |
|---|---|
| 封装形式 | DFN3.3×3.3-8L(双侧引脚扁平无引线封装,底部散热焊盘) |
| 工作温度范围 | -55℃ ~ +150℃(结温最高175℃) |
| 可靠性筛选 | 100% UIS雪崩测试 + 100% ΔVds筛选 |
| 进口品牌 | 进口型号 | 封装 | 电压/电流 | 替代方案 |
|---|---|---|---|---|
| TI 德州仪器 | CSD17575Q3 | DFN3.3×3.3 | 30V/60A | → NCEP3065QU |
| ON 安森美 | NTTFS4985NF | DFN3.3×3.3 | 30V/63A | → NCEP3065QU |
| AOS 万代 | AON6764 | DFN3.3×3.3 | 30V/60A | → NCEP3065QU |

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