
低栅极电荷,出色的导通内阻,雪崩电压和电流经过全面表征,高单脉冲雪崩能量EAS,具备良好的稳定性和均匀性,散热性能优异,具备高静电ESD防护能力
· 低栅极电荷
· 出色的导通内阻
· 雪崩电压和电流经过全面
· 表征
· 高单脉冲雪崩能量EAS
· 具备良好的稳定性和均匀性
· 散热性能优异
· 具备高静电ESD防护能力
NCE6005AR 采用先进的沟槽工艺与设计,在保持低栅极电荷的同时,可提供优异的 RDS(ON) 性能,适用于多种应用场景
1. 小体积 SOT‑223‑3L 封装,占位面积小,引脚自带大散热焊盘,适合空间受限的板卡设计; |
2. 支持低压驱动 4.5V 低压驱动条件下 Rds (on) 最大 38mΩ(典型 32mΩ),可直接被 MCU、普通控制器驱动,无需额外栅极升压电路,简化外围设计; |
3. 低栅极电荷 总栅电荷 Qg 仅 22nC,开关延时短,开关速度快,开关损耗低,非常适合硬开关、高频 PWM 变换电路; |
4. ESD 特殊工艺,雪崩可靠性高 采用特殊工艺提升 ESD 抗静电能力;单脉冲雪崩能量 EAS 可达 84mJ,耐受感性负载电压尖峰,器件一致性好; |
| 参数项目 | 规格说明 |
|---|---|
| 品牌 | 新洁能 NCE |
| 产品类别 | 12-300VNMOS |
| 耐压 | 60V |
| 导通电阻@10V | 26mΩ |
| 导通电阻@4.5V | 32mΩ |
| 连续漏极电流 | 5A |
| 栅源极阈值电压 | 1.6V |
| 封装 | SOT-223-3L |
| 工作温度 | -55-150℃ |
详细参数以原厂规格书为准。
1. DIODES DMN6040SE
替代原因:参数匹配,封装兼容,无需改版,可实现国产化降本
替代关系以规格书与实测确认为准,拿不准可点此QQ咨询
| 应用产品 | 路由器、无线 AP、UPS、小型逆变器、LED 灯带、面板灯 |
NCEP6050AQU 同批次已上架 | 2N7002K 同批次已上架 | NCE0103Y 同批次已上架 |
NCE0102 新洁能已上架MOS管 | NCE2301 新洁能已上架MOS管 | NCE2305 新洁能已上架MOS管 |
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