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NCE6005AR

低栅极电荷,出色的导通内阻,雪崩电压和电流经过全面表征,高单脉冲雪崩能量EAS,具备良好的稳定性和均匀性,散热性能优异,具备高静电ESD防护能力

  • 品牌: 新洁能
  • 尺寸/封装: SOT-223-3L
  • 重要参数: 60V
  • 额定电流: 5A
  • 工作温度: -55-150℃
  • 栅源极阈值电压: 1.6V
  • 内阻@4.5V: 32mΩ
  • 内阻@10V: 26mΩ
  • 产品应用: 路由器、无线 AP、UPS、小型逆变器、LED 灯带、面板灯

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  • 产品参数
  • 品牌: 新洁能
  • 尺寸/封装: SOT-223-3L
  • 重要参数: 60V
  • 额定电流: 5A
  • 工作温度: -55-150℃
  • 栅源极阈值电压: 1.6V
  • 内阻@4.5V: 32mΩ
  • 内阻@10V: 26mΩ
  • 产品应用: 路由器、无线 AP、UPS、小型逆变器、LED 灯带、面板灯

NCE6005AR 新洁能N沟道NMOS管 60V SOT-223-3L

60V · 32mΩ · 5A · SOT-223-3L

元器猫为新洁能官方授权一级代理

一、核心优势

· 低栅极电荷

· 出色的导通内阻

· 雪崩电压和电流经过全面

· 表征

· 高单脉冲雪崩能量EAS

· 具备良好的稳定性和均匀性

· 散热性能优异

· 具备高静电ESD防护能力

二、产品概述

NCE6005AR 采用先进的沟槽工艺与设计,在保持低栅极电荷的同时,可提供优异的 RDS(ON) 性能,适用于多种应用场景

三、关键特性

1. 小体积
SOT‑223‑3L 封装,占位面积小,引脚自带大散热焊盘,适合空间受限的板卡设计;
2. 支持低压驱动
4.5V 低压驱动条件下 Rds (on) 最大 38mΩ(典型 32mΩ),可直接被 MCU、普通控制器驱动,无需额外栅极升压电路,简化外围设计;
3. 低栅极电荷
总栅电荷 Qg 仅 22nC,开关延时短,开关速度快,开关损耗低,非常适合硬开关、高频 PWM 变换电路;
4. ESD 特殊工艺,雪崩可靠性高
采用特殊工艺提升 ESD 抗静电能力;单脉冲雪崩能量 EAS 可达 84mJ,耐受感性负载电压尖峰,器件一致性好;

四、NCE6005AR 核心电气参数

参数项目规格说明
品牌新洁能 NCE
产品类别12-300VNMOS
耐压60V
导通电阻@10V26mΩ
导通电阻@4.5V32mΩ
连续漏极电流5A
栅源极阈值电压1.6V
封装SOT-223-3L
工作温度-55-150℃

详细参数以原厂规格书为准。

五、Pin-to-Pin替代

1. DIODES DMN6040SE

替代原因:参数匹配,封装兼容,无需改版,可实现国产化降本

替代关系以规格书与实测确认为准,拿不准可点此QQ咨询

六、典型应用领域

应用产品路由器、无线 AP、UPS、小型逆变器、LED 灯带、面板灯

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获取NCE6005AR样品与技术资料

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在线咨询获取样品 电话:133-8030-6179

NCE6005AR
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