
极低的导通内阻和栅极电荷,100%经过UIS和 ΔVds 测试
· 极低的导通内阻和栅极电荷
· 100%经过UIS和 ΔVds 测试
NCEP6050AQU 采用 Super Trench 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。得益于极低的 RDS(ON) 与 Qg 综合值,该器件的导通损耗与开关损耗均被降至最低。本器件是高频开关与同步整流应用的理想选择
1. 优异的FOM品质因数 优化Rds(on)×Qg综合品质因数,同时实现低导通电阻与低栅电荷,导通损耗、开关损耗双低,专门面向高频开关、同步整流场景; |
2. 大电流能力 连续漏极电流 50A,100℃高温下仍可维持 39A 连续电流,脉冲电流可达 200A,抗冲击负载能力强; |
3. 雪崩可靠性高 100% UIS、100%ΔVds 出厂测试;单脉冲雪崩能量 EAS=350mJ,对感性负载的电压尖峰耐受能力强,器件批次一致性高,降低炸管失效风险; |
4. 小尺寸 DFN 封装,高功率密度 DFN3.3×3.3‑8L 超小型 QFN 无引脚封装,占位面积小;底部大面积裸露焊盘,PCB 铺铜即可高效散热,实现小体积承载大电流,满足设备小型化、高密度板卡设计 |
| 参数项目 | 规格说明 |
|---|---|
| 品牌 | 新洁能 NCE |
| 产品类别 | 12-300VNMOS |
| 耐压 | 60V |
| 导通电阻@10V | 6.5mΩ |
| 导通电阻@4.5V | 7.7mΩ |
| 连续漏极电流 | 50A |
| 栅源极阈值电压 | 1.8V |
| 封装 | DFN3.3X3.3-8L |
| 工作温度 | -55-150℃ |
详细参数以原厂规格书为准。
1. ON NTTFS5C670NL
2. AOS AON7244
3. ROHM AG015FLH7FRA
替代原因:参数匹配,封装兼容,无需改版,可实现国产化降本
替代关系以规格书与实测确认为准,拿不准可点此QQ咨询
| 应用产品 | 服务器、工控板卡、电源适配器、通讯电源,路由器,无线AP |
2N7002K 同批次已上架 | NCE0103Y 同批次已上架 | NCEP020N10LL 同批次已上架 |
NCE0102 新洁能已上架MOS管 | NCE2301 新洁能已上架MOS管 | NCE2305 新洁能已上架MOS管 |
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