
超低導通電阻和導電損耗,超低柵極電荷可降低驅動要求,二極管反向恢複速度快,先進封裝,高可靠性
NCE65NF050QD 是新潔能(NCEPower)650V/56A 高壓N溝道功率MOSFET,QDPAK-22L封裝,導通電阻僅45mΩ。元器貓為新潔能官方授權一級代理,常備現貨,即訂即發。
該器件QDPAK頂部散熱封裝優化熱管理,適合高功率密度設計。每顆出廠前通過100% UIS雪崩耐量及100% ΔVds雙重全檢篩選,工作溫度覆蓋-55℃~+150℃。廣泛適用於5G基站電源、服務器電源模塊等高頻高效功率轉換場景。
| 參數項目 | 規格說明 |
|---|---|
| 漏源耐壓 Vds | 650V |
| 連續漏電流 Id | 56A |
| 導通電阻 RDS(on)@10V | 45mΩ(典型值) |
| 導通電阻 RDS(on)@4.5V | / |
| 閾值電壓 Vgs(th) | 4.2V |
| 柵極電荷 Qg | 低Qg設計,具體數值請查閱規格書(聯系FAE) |
| 參數項目 | 規格說明 |
|---|---|
| 封裝形式 | QDPAK-22L |
| 工作溫度範圍 | -55~175℃ |
| 可靠性篩選 | 100% UIS雪崩測試 + 100% ΔVds篩選 |
| 進口品牌 | 進口型號 | 封裝 | 電壓/電流 | 替代方案 |
|---|---|---|---|---|
| TI/ON/AOS等 | 同規格進口型號 | QDPAK-22L | 650V/56A | → NCE65NF050QD |

複製產品鏈接
長按圖片保存/分享