新潔能-國矽SiC IPM系列發布：600V碳化矽智能功率模塊，五大優勢重新定義性能邊界

新潔能-國矽重磅推出600V SiC IPM系列，覆蓋7A~15A電流等級，五大封裝形態。開關損耗降低70%、導通損耗降低50%，支持PIN2PIN無縫替換矽基方案，助力工業變頻、光伏儲能、變頻家電、電動工具等領域實現碳化矽升級。

在新能源變頻、工業工控、光伏儲能、小家電變頻、伺服驅動等應用場景中，能效升級、小型化、高可靠性已成為行業剛需。隨著全球碳中和戰略持續推進，終端客戶對功率器件的性能要求從'夠用即可'轉向'極限突破'——更高的轉換效率、更小的體積、更強的環境適應能力，正在重塑功率半導體的選型邏輯。

傳統矽基IPM已逐漸逼近性能天花板。矽材料的物理特性決定了其在高溫、高頻、高壓場景下的損耗難以進一步降低。面對這一行業瓶頸，碳化矽（SiC）憑借寬禁帶材料的天然優勢，以更低的開關損耗、更高的熱導率、更強的耐壓能力，成為替代升級的最優方案。

產品概述

新潔能-國矽深耕功率半導體領域，憑借多年IPM架構設計與工藝積累，重磅推出系列SiC IPM產品。該系列產品精準適配多場景國產化替代需求，與行業主流型號引腳兼容、方案無縫替換，旨在幫助客戶以最低遷移成本實現碳化矽升級。

首批產品覆蓋600V電壓平台，電流等級從7A至15A，采用PQFN5×6、SOP16W、SOP23、DIP23、ESOP13五大行業主流封裝，滿足不同功率段的應用需求。

▲ 圖1：新潔能-國矽SiC IPM系列產品外觀

五大核心優勢

一、超低損耗，整機能效躍升

碳化矽材料的禁帶寬度達3.26eV（約為矽的3倍），臨界擊穿電場強度是矽的10倍。SiC MOSFET關斷迅速、無拖尾，從根本上消除了關斷損耗的主要來源。以典型變頻器工況為例，相比同規格矽基IPM，國矽SiC IPM開關損耗可降低70%以上，導通損耗降低50%以上，整機效率提升1%~3%。

二、高頻適配，小型化更進一步

國矽SiC IPM支持更高工作頻率，開關頻率從10kHz提升至40kHz，磁件體積可縮減50%以上，整機體積有望縮減30%~50%，為終端產品的小型化、輕量化打開設計空間。

三、高溫可靠，無懼嚴苛工況

SiC材料熱導率是矽的3倍，裸芯具備175°C甚至200°C的耐溫潛力，遠超矽基器件的150°C極限。在戶外光伏、車載動力系統等場景中，SiC IPM寬溫區穩定運行能力可有效減少因過溫降額導緻的功率折損。

▲ 圖2：SiC IPM vs 矽基IPM關鍵參數對比

四、高集成度，設計更簡潔

國矽SiC IPM將碳化矽功率MOSFET與高壓柵極驅動電路、自舉二極管、欠壓保護（UVLO）、溫度檢測（VOT）等功能深度集成於單一封裝內。外圍BOM大幅精簡，研發周期縮短30%以上。

五、PIN2PIN無縫替換，升級零門檻

國矽SiC IPM兼容主流封裝引腳定義，客戶可直接PIN2PIN替換現有矽基IPM方案，無需大幅改板，PCB布局和軟件代碼幾乎零修改。在國產替代的大背景下，國矽SiC IPM為行業提供了一條低風險、高回報的升級路徑。

SiC vs 矽基IPM關鍵參數對比

▲ 圖3：新潔能-國矽SiC IPM五大封裝形態展示

應用場景

工業變頻與伺服驅動：在變頻器、伺服驅動器中，SiC IPM的超低損耗與高頻特性可顯著提升電機驅動效率。尤其在多軸伺服系統中，SiC IPM的高頻特性可顯著降低電機鐵損和銅損，實現更精準的力矩控製。

光伏逆變與儲能變流：在600V電壓平台下，SiC IPM特別適用於微型逆變器、戶用小功率光伏及儲能系統。每0.1%的效率提升都意味著可觀的發電收益。

變頻家電與車載熱管理：空調壓縮機、冰箱變頻模塊等家電應用追求靜音與節能，SiC IPM可顯著降低電機可聞噪音，輕鬆滿足新一級能效標準。

高速電機與電動工具：在高速風筒（十萬轉以上）以及智能割草機等應用中，SiC IPM的高頻無拖尾特性與極低發熱量，完美解決了傳統方案的溫升痛點。

產品谘詢與技術支持

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