
低柵極電荷,出色的導通內阻,雪崩電壓和電流經過全面表征,高單脈衝雪崩能量EAS,具備良好的穩定性和均勻性,散熱性能優異,具備高靜電ESD防護能力
· 低柵極電荷
· 出色的導通內阻
· 雪崩電壓和電流經過全面
· 表征
· 高單脈衝雪崩能量EAS
· 具備良好的穩定性和均勻性
· 散熱性能優異
· 具備高靜電ESD防護能力
NCE6005AR 采用先進的溝槽工藝與設計,在保持低柵極電荷的同時,可提供優異的 RDS(ON) 性能,適用於多種應用場景
1. 小體積 SOT‑223‑3L 封裝,占位面積小,引腳自帶大散熱焊盤,適合空間受限的板卡設計; |
2. 支持低壓驅動 4.5V 低壓驅動條件下 Rds (on) 最大 38mΩ(典型 32mΩ),可直接被 MCU、普通控製器驅動,無需額外柵極升壓電路,簡化外圍設計; |
3. 低柵極電荷 總柵電荷 Qg 僅 22nC,開關延時短,開關速度快,開關損耗低,非常適合硬開關、高頻 PWM 變換電路; |
4. ESD 特殊工藝,雪崩可靠性高 采用特殊工藝提升 ESD 抗靜電能力;單脈衝雪崩能量 EAS 可達 84mJ,耐受感性負載電壓尖峰,器件一緻性好; |
| 參數項目 | 規格說明 |
|---|---|
| 品牌 | 新潔能 NCE |
| 產品類別 | 12-300VNMOS |
| 耐壓 | 60V |
| 導通電阻@10V | 26mΩ |
| 導通電阻@4.5V | 32mΩ |
| 連續漏極電流 | 5A |
| 柵源極閾值電壓 | 1.6V |
| 封裝 | SOT-223-3L |
| 工作溫度 | -55-150℃ |
詳細參數以原廠規格書為準。
1. DIODES DMN6040SE
替代原因:參數匹配,封裝兼容,無需改版,可實現國產化降本
替代關系以規格書與實測確認為準,拿不準可點此QQ谘詢
| 應用產品 | 路由器、無線 AP、UPS、小型逆變器、LED 燈帶、面板燈 |
NCEP6050AQU 同批次已上架 | 2N7002K 同批次已上架 | NCE0103Y 同批次已上架 |
NCE0102 新潔能已上架MOS管 | NCE2301 新潔能已上架MOS管 | NCE2305 新潔能已上架MOS管 |
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